UV LED固化系统是半导体制造的理想解决方案。无论是粘合操作还是防护涂料的应用，我们的系统都能提供快速，完整的固化。因此，您将受益于最短的处理时间，增加的吞吐量和更安全的操作-同时消除了VOC并获得了快速的投资回报。
CoolWave单元发出的热量较少，产生的红外能量更少，并且提供了几何上更精确的聚焦场。另外，灯头的模块化设计允许两个或多个灯并排放置，以实现更广泛的固化应用。它们还包含：
没有内部垫圈可减少运营和维护成本以及停机时间
专有的二向色涂层玻璃反射器，可实现更凉爽的操作，更高的强度和设计灵活性
提供6英寸宽度，额定功率为每英寸300瓦
能够与MPS-306电源一起使用，该电源提供远程I / O，简便的操作员界面和电噪声过滤
一体式或外部冷却鼓风机
我们正在掩模对准器，步进器和其他光刻设备中用UV-LED技术取代传统的汞放电灯。
半导体行业广泛使用NUV光谱范围（i线365 nm，h线405 nm和g线436 nm）中的高功率辐射，以在光刻工艺中创建复杂的微结构。生产集成电路（IC），液晶显示器（LCD），印刷电路板（PCB）或MEMS（微机电系统）是涉及光刻的主要应用。
从长期以来一直是选择光源的传统放电灯技术中脱颖而出的半导体制造趋势非常强烈。通过整合UV LED光源作为子系统，现在可以方便地改造或设计采用UV-LED曝光的新制造设备。
我们所研发的UV-LED光源特别适合以下半导体制造应用：
掩模对准仪系统中的UV-LED曝光提供了几种解决方案。
半导体，MEMS，LED，功率器件和微流控行业中的后端光刻应用使用多种掩模对准系统。越来越多的先进封装技术，例如晶圆级芯片级封装（WLCSP），扇出晶圆级封装（FOWLP），倒装芯片封装，3D-IC /直通硅通孔（TSV），凸点焊和2.5D中介层有助于制造日益集成的微结构。
手动，半自动和全自动掩模对准器系统可满足任何生产环境的要求：从小批量的研发设置到大批量的生产。我们的UV-LED光刻产品已成功集成到各种掩模对准系统中，取代了200 W，350 W，500 W和1 kW汞弧灯。
经证明，使用我们的UV-LED光引擎的掩模对准器可在接触（软/硬/真空）以及接近曝光应用中产生更出色的结果。我们已经看到在4英寸，6英寸和8英寸基板上具有出色的均匀性，出色的准直特性（<2°）和低至0.7 µm的高分辨率。由于使用寿命长，增强的输出稳定性以及无需预热或冷却，我们的UV-LED解决方案具有最低的拥有成本，并提供了出色的吞吐性能。
亿将的UV-LED曝光解决方案提高了先进封装工艺的效率。
宽带步进器系统（也称为1X步进器或微型步进器）在高级封装应用中起着至关重要的作用，例如扇出晶圆级封装（FOWLP），晶圆级芯片级封装（WLCSP）或Through Silicon Via（ TSV）。诸如MEMS或LED之类的复杂微结构是在那些高度专业化的步进设备上制造的突出示例。
如果要将步进器升级到UV-LED照明，通过采用我们的解决方案，您可以在过程中可能需要使用的感光高级包装材料的选择上获得完全的灵活性。
我们使用的是一种独特的设置：将围绕i线，h线和g线的各个UV LED模块组合到一条光路中，使您可以完全控制宽频曝光的光谱成分，范围介于350- 450 nm。由于我们提供了更高的辐射输出，因此您可以更换任何功率高达1 kW甚至更高的传统大功率汞弧灯，而无需在更换灯时浪费汞的麻烦和工具停机的麻烦。步进器中集成曝光装置后，您可以将分辨率降至1 µm甚至在亚微米范围内。此外，我们稳定且高度可靠的UV-LED照明单元以较低的拥有成本提供了更出色的系统吞吐量。
亿将光电科技的UV-LED固化机系统光源取代了传统的汞弧灯。
晶圆边缘曝光（WEE）是使用光刻步进机和扫描仪进行的大批量半导体制造中的普遍处理步骤。在高级封装设置中（例如，使用1X步进技术）优化良率是安装此额外的高强度曝光步骤的主要驱动力，该步骤分别处理晶圆边缘。设备可以作为独立单元连接到半导体晶圆轨道，也可以直接集成到步进设备中。它由扫描和晶圆旋转装置以及光学系统和强大的点光源组成，以进行定型曝光。
我们所研发的系统是这些晶圆边缘曝光应用的理想UV LED固化机解决方案，是唯一具有高功率多色输出，可匹配相关i，h和g线光谱的UV-LED点光源（365 / 405/435 nm）。
我们的UV LED光源具有多光谱特性，因此可以使用环保的LED技术替代水银灯。此外，我们具有即时开/关（低于1毫秒的0到100％）的闭环反馈控制系统可确保始终如一的高精度曝光结果。由于我们所有光源的模块化设计使维护变得既快速又容易，因此工具的停机时间被最小化。
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